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  • 封装
    SMD
    SOT563
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  • 晶体管类型
    2 个 NPN 预偏压式(双)
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  • 电流-集电极(Ic)(最大值)
    100mA
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  • 电压-集射极击穿(最大值)
    50V
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  • 电阻器-基底(R1)
    10 千欧
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  • 电阻器-发射极基底(R2)
    10 千欧
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  • 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值)
    30 @ 5mA,5V
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  • 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值)
    300mV @ 500μA,10mA
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  • 电流-集电极截止(最大值)
    500nA
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  • 频率-跃迁
    250MHz
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  • 功率-最大值
    300mW
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  • 安装类型
    表面贴装型
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RK1081CMF162RB
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